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Cree presenta la tecnologia di ultima generazione GaN HEMT da 50V che riduce sensibilmente i fabbisogni energetici della rete cellulare

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Comunicato Stampa

Cree 530x188 Cree presenta la tecnologia di ultima generazione GaN HEMT da 50V che riduce sensibilmente i fabbisogni energetici della rete cellulare

Milano, 31 Ottobre 2012 — Cree presenta una serie di nuovi dispositivi GaN HEMT da 50 V che consentono una significativa riduzione dell’energia richiesta per il funzionamento delle reti cellulari. Il consumo delle reti cellulari mondiali è stimato intorno ai 100 TWh su base annuale (per un valore approssimativo di 12 miliardi di dollari), di cui 50-80% assorbito da sistemi di amplificazione di potenza e dalle infrastrutture di alimentazione. Grazie all’innovativa tecnologia di Cree®, gli amplificatori di potenza delle stazioni radio base hanno registrato miglioramenti nelle prestazioni di oltre il 20% rispetto all’attuale tecnologia a 2.6 GHz utilizzata per i nuovi segnali 4G LTE. Si stima che la maggiore efficienza degli amplificatori di potenza sia in grado di far risparmiare circa 10 TWh all’anno, un valore equivalente alla potenza generata da due centrali nucleari.

Oltre ad un consistente risparmio dei costi operativi dovuti alla maggiore efficienza dei sistemi, altri benefici sostanziali sono da registrare anche dal costo di acquisto delle soluzioni. Un amplificatore di potenza caratterizzato da maggiore efficienza può aiutare i produttori di dispositivi a risparmi nel capitale impiegato per le apparecchiature, grazie a sistemi di raffreddamento più semplici e la maggiore tensione elettrica dei componenti con una conseguente riduzione del costo dei convertitori AC-DC e DC-DC. Nel complesso, la nuova tecnologia di Cree consente un risparmio fino al 10% del costo dei materiali, con una riduzione rilevante dei costi del sistema.

“Siamo certi che le nuove soluzioni GaN HEMT da 50 V avranno un grande impatto, non solo sugli operatori di reti cellulari e sui produttori di sistemi consentendo un risparmio costi ma potranno anche contribuire a ridurre il consumo globale di energia”, ha commentato Jim Milligan Direttore Commerciale della divisione RF (prodotti e soluzioni dedicati alla radio frequenza) di Cree. “Molti produttori di apparecchiature dedicate alle telecomunicazioni hanno già adottato le nostre tecnologie a voltaggi inferiori per valutarne i reali benefici; ad oggi, anche se in una fase iniziale di implementazione, stimiamo circa 2.400 MWh di energia già risparmiati. Parliamo di una riduzione di emissioni di anidride carbonica pari a circa 1.400 tonnellate, risultato che si otterrebbe piantando 36.000 alberi”.

I transistor di Cree GaN HEMT da 50V che operano con potenze di uscita a 100W o 200W sono disponibili sia per le bande di frequenza da 1,8 a 2,2 GHz, sia per quelle da 2,5 a 2,7 GHz. I dispositivi sono assemblati internamente per ottenere prestazioni ottimali, consentendo istantaneamente ampie larghezze di banda. I transistor da 50V GaN HEMT sono ideali per amplificatori di potenza Doherty ad alta efficienza, in cui si riescono ad ottenere rispettivamente più di 18 dB a 2,14 GHz e 16 dB a 2.6 GHz.

Ulteriori informazioni sulla nuova tecnologia Cree GaN HEMTda 50V sono disponibili all’indirizzo:www.cree.com. I partecipanti alla manifestazione European Microwave Week (EuMW) – che si tiene dal 28 ottobre al 2 novembre – potranno visitare lo stand numero 408 di Cree per ricevere ulteriori dettagli sulle nuove soluzioni.

I campioni dei nuovi dispositivi Cree GaN HEMT da 50 V sono già disponibili, mentre la distribuzione su larga scale è prevista per il mese di Novembre.